Silikon nitrit substrat

UNIPRETEC tomonidan ishlab chiqarilgan kremniy nitrit substrat Si3N4 keramikasidan tayyorlangan. Atrof muhitning ifloslanishini kamaytirish va yashil iqtisodiyotni yaratish uchun elektr energiyasidan samarali foydalanish tobora muhim ahamiyat kasb etmoqda, bu esa elektron qurilmalarda issiqlik tarqalish substratlariga yuqori talablarni ilgari surmoqda. AlN, Al2O3 va BeO kabi an'anaviy keramika substratlarining kamchiliklari, tobora ko'zga tashlanib kelinayotgani, past nazariy issiqlik o'tkazuvchanligi va mexanik xususiyatlari sustligi, uning rivojlanishiga jiddiy to'sqinlik qildi. An'anaviy keramika substrat materiallari bilan taqqoslaganda, silikon nitritli keramika o'zining mukammal nazariy issiqlik o'tkazuvchanligi va yaxshi mexanik xususiyatlari tufayli asta-sekin elektron qurilmalar uchun yangi zamonaviy issiqlik tarqaladigan material tanloviga aylandi.

Shu bilan birga, Si3N4 plitasining haqiqiy issiqlik o'tkazuvchanligi nazariy issiqlik o'tkazuvchanligidan ancha past va ba'zi bir yuqori issiqlik o'tkazuvchan silikon nitridli keramika substratlari (GG gt; 150 Vt / m · K) hali ham laboratoriya bosqichida. Kremniy nitridli keramikalarning issiqlik o'tkazuvchanligiga ta'sir qiluvchi omillarga panjarali kislorod, kristall faza va don chegaralari kiradi. Bundan tashqari, kristall turini o'zgartirish va kristall o'qining yo'nalishi ham ma'lum darajada silikon nitridning issiqlik o'tkazuvchanligiga ta'sir qilishi mumkin. Si3N4 seramika substratini seriyali ishlab chiqarishga qanday erishish ham katta muammo hisoblanadi.

Texnik ma'lumotlar sahifasi

∆ Yuqoridagi ma'lumotlar faqat ma'lumotnoma va taqqoslash uchun taqdim etiladi, aniq ma'lumotlar ishlab chiqarish usuli va qism konfiguratsiyasiga qarab o'zgaradi.

Ushbu muammolarni hal qilish uchun UNIPRETEC tegishli tayyorgarlik jarayonlarini doimiy ravishda optimallashtirishga sodiq qoldi va silikon nitrit plitasining haqiqiy issiqlik o'tkazuvchanligi ham doimiy ravishda yaxshilanmoqda. Panjara tarkibidagi kislorod miqdorini kamaytirish uchun birinchi navbatda xom ashyoni tanlashda kislorod miqdorini kamaytiring. Bir tomondan, nisbatan kichik kislorodli Si kukuni boshlang'ich material sifatida ishlatilishi mumkin. Uchinchidan, tegishli sinterlash vositalarini tanlash, shuningdek, kislorod tarkibini kamaytirish orqali issiqlik o'tkazuvchanligini oshirishi mumkin. Bundan tashqari, urug 'kristallarini qo'shib, sinterlanish haroratini oshirib, kristall shaklini o'zgartirishga ko'maklashamiz va magnit maydonini ishlatib, donalarni yo'nalishda o'sishini ta'minlash orqali issiqlik o'tkazuvchanligi ma'lum darajada yaxshilanishi mumkin. Elektron moslamalarning o'lchamlari bo'yicha talablarni qondirish uchun UNIPRETEC lenta quyish jarayonidan foydalanib, kremniy nitridli qatlam, gofret, substrat tayyorlaydi.

Issiq teglar: kremniy nitrid substrat, Xitoy, etkazib beruvchilar, ishlab chiqaruvchilar, zavod